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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-Einzel1N5820-E3/73
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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1N5820-E3/73 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
1N5820-E3/73
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-1N5820-E3/73
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-201AD, Axial
Datenblatt
1N5820 - 1N5822.pdf
RoHS Status
vorrätig: 110660

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Anzahl

Spezifikation

1N5820-E3/73 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5820-E3/73 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5820-E3/73

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 475 mV @ 3 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 20 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse DO-201AD  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse DO-201AD, Axial  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Cut Tape (CT)  
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 125°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 mA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) 3A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer 1N5820  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5820-E3/73.

Produkteigenschaften 1N5820-E3/73 1N5821 1N5821 1N5820-T
Artikelnummer 1N5820-E3/73 1N5821 1N5821 1N5820-T
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division STMicroelectronics Fairchild Semiconductor Diodes Incorporated
Grundproduktnummer 1N5820 1N58 1N58 1N5820
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 mA @ 20 V 2 mA @ 30 V 2 mA @ 30 V 2 mA @ 20 V
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Spannung - Sperr (Vr) (max) 20 V 30 V 30 V 20 V
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Kapazität @ Vr, F - - - -
Supplier Device-Gehäuse DO-201AD DO-201AD DO-201 DO-201AD
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 125°C 150°C (Max) -50°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C
Verpackung / Gehäuse DO-201AD, Axial DO-201AD, Axial DO-201AA, DO-27, Axial DO-201AD, Axial
Paket Cut Tape (CT) Tape & Box (TB) Bulk Tape & Reel (TR)
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 475 mV @ 3 A 500 mV @ 3 A 900 mV @ 9.4 A 475 mV @ 3 A
Strom - Richt (Io) 3A 3A 3A 3A

1N5820-E3/73 Datenblatt PDF

Laden Sie 1N5820-E3/73 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für 1N5820-E3/73 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Schotkky REC Assembly Site Add 22/Sep/2017.pdf
Datenblätter
1N5820 - 1N5822.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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1N5820-E3/73

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