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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Brücke-Gleichrichter2KBP08M-E4/45
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2KBP08M-E4/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
2KBP08M-E4/45
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-2KBP08M-E4/45
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPM
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-SIP, KBPM
Datenblatt
2KBP005M-10M, 3N253-259.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3990

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Spezifikation

2KBP08M-E4/45 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 2KBP08M-E4/45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 2KBP08M-E4/45

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Spitzensperr- (max) 800 V  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 3.14 A  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse KBPM  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 4-SIP, KBPM  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 165°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Diodentyp Single Phase  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 800 V  
Strom - Richt (Io) 2 A  
Grundproduktnummer 2KBP08  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP08M-E4/45.

Produkteigenschaften 2KBP08M-E4/45 2KBP04M-E4/51 2KBP06M 2KBP10M-E4/51
Artikelnummer 2KBP08M-E4/45 2KBP04M-E4/51 2KBP06M 2KBP10M-E4/51
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fairchild Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1 V @ 3.14 A 1.1 V @ 3.14 A 1.1 V @ 3.14 A 1.1 V @ 3.14 A
Paket Tube Tray Tube Tray
Strom - Richt (Io) 2 A 2 A 2 A 2 A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer 2KBP08 2KBP04 - 2KBP10
Spannung - Spitzensperr- (max) 800 V 400 V 600 V 1 kV
Supplier Device-Gehäuse KBPM KBPM KBPM KBPM
Technologie Standard Standard Standard Standard
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 800 V 5 µA @ 400 V 5 µA @ 600 V 5 µA @ 1000 V
Verpackung / Gehäuse 4-SIP, KBPM 4-SIP, KBPM 4-SIP, KBPM 4-SIP, KBPM
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 165°C (TJ) -55°C ~ 165°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 165°C (TJ)
Diodentyp Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase

2KBP08M-E4/45 Datenblatt PDF

Laden Sie 2KBP08M-E4/45 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für 2KBP08M-E4/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
2KBP005M-10M, 3N253-259.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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2KBP08M-E4/45

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-2KBP08M-E4/45

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