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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-Arrays43CTQ100S
43CTQ100S Image
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43CTQ100S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
43CTQ100S
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-43CTQ100S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
43CTQyyy(S,-1).pdf
vorrätig: 5250

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Spezifikation

43CTQ100S Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 43CTQ100S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 43CTQ100S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 810 mV @ 20 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 20A  
Grundproduktnummer 43CTQ  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division 43CTQ100S.

Produkteigenschaften 43CTQ100S 43CTQ100 43CTQ100STRR 43CTQ100STRL
Artikelnummer 43CTQ100S 43CTQ100 43CTQ100STRR 43CTQ100STRL
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Grundproduktnummer 43CTQ 43CTQ 43CTQ 43CTQ
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 20A 20A 20A 20A
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) TO-220-3 TO-263AB (D²PAK) TO-263AB (D²PAK)
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 100 V 1 mA @ 100 V 1 mA @ 100 V 1 mA @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 810 mV @ 20 A 810 mV @ 20 A 810 mV @ 20 A 810 mV @ 20 A

43CTQ100S Datenblatt PDF

Laden Sie 43CTQ100S PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für 43CTQ100S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Datenblätter
43CTQyyy(S,-1).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-43CTQ100S

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