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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-Module50MT060WH
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

50MT060WH - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
50MT060WH
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-50MT060WH
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
12-MTP Module
Datenblatt
50MT060WH.pdf
vorrätig: 4130

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Spezifikation

50MT060WH Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 50MT060WH Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 50MT060WH

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 100A  
Supplier Device-Gehäuse 12-MTP  
Serie -  
Leistung - max 658 W  
Verpackung / Gehäuse 12-MTP Module  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
NTC-Thermistor No  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 7.1 nF @ 30 V  
Eingang Standard  
IGBT-Typ PT  
Strom - Collector Cutoff (Max) 400 µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 114 A  
Konfiguration Half Bridge  
Grundproduktnummer 50MT060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50MT060WH.

Produkteigenschaften 50MT060WH MUBW40-12T7 MWI50-12A7 FD600R06ME3_B11_S2
Artikelnummer 50MT060WH MUBW40-12T7 MWI50-12A7 FD600R06ME3_B11_S2
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division IXYS IXYS Infineon Technologies
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 1200 V 1200 V 600 V
Eingang Standard Three Phase Bridge Rectifier Standard Standard
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 100A 2.6V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 50A 1.6V @ 15V, 600A
Serie - - - EconoDUAL™ 3
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 7.1 nF @ 30 V 2.5 nF @ 25 V 3.3 nF @ 25 V 60 nF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse 12-MTP Module E2 E2 Module
NTC-Thermistor No Yes No Yes
Strom - Collector Cutoff (Max) 400 µA 1.75 mA 4 mA 5 mA
Leistung - max 658 W 220 W 350 W 2250 W
Grundproduktnummer 50MT060 MUBW40 MWI50 FD600R06
IGBT-Typ PT Trench NPT Trench Field Stop
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C
Konfiguration Half Bridge Three Phase Inverter with Brake Three Phase Inverter Single Chopper
Strom - Kollektor (Ic) (max) 114 A 62 A 85 A 600 A
Supplier Device-Gehäuse 12-MTP E2 E2 Module

50MT060WH Datenblatt PDF

Laden Sie 50MT060WH PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für 50MT060WH - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Datenblätter
50MT060WH.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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