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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-Arrays83CNQ100ASM
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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83CNQ100ASM - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
83CNQ100ASM
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-83CNQ100ASM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D618SM
detaillierte Beschreibung
Verpackung
D-61-8-SM
Datenblatt
83CNQyyyA Series.pdf
vorrätig: 4200

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Spezifikation

83CNQ100ASM Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 83CNQ100ASM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 83CNQ100ASM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 80 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse D-61-8-SM  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse D-61-8-SM  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1.5 mA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 40A  
Grundproduktnummer 83CNQ  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division 83CNQ100ASM.

Produkteigenschaften 83CNQ100ASM 83CNQ100A 83CNQ100SM 83CNQ100
Artikelnummer 83CNQ100ASM 83CNQ100A 83CNQ100SM 83CNQ100
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMC Diode Solutions SMC Diode Solutions
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1.5 mA @ 100 V 1.5 mA @ 100 V 1.5 mA @ 100 V 1.5 mA @ 100 V
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 80 A 1 V @ 80 A 1 V @ 40 A 1 V @ 40 A
Supplier Device-Gehäuse D-61-8-SM D-61-8 PRM2-SM PRM2
Grundproduktnummer 83CNQ 83CNQ 83CNQ 83CNQ
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse D-61-8-SM D-61-8 PRM2-SM PRM2
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 40A 40A 40A 40A
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky

83CNQ100ASM Datenblatt PDF

Laden Sie 83CNQ100ASM PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für 83CNQ100ASM - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Datenblätter
83CNQyyyA Series.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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