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B120-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
B120-E3/61T
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-B120-E3/61T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-214AC, SMA
Datenblatt
B120 thru B160.pdf
RoHS Status
vorrätig: 394450

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Anzahl

Spezifikation

B120-E3/61T Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - B120-E3/61T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - B120-E3/61T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 520 mV @ 1 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 20 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 125°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 20 V  
Strom - Richt (Io) 1A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer B120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division B120-E3/61T.

Produkteigenschaften B120-E3/61T B120-13-F B120-13 B1203LS-1W
Artikelnummer B120-E3/61T B120-13-F B120-13 B1203LS-1W
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Diodes Incorporated TESLA
Kapazität @ Vr, F - 110pF @ 4V, 1MHz 110pF @ 4V, 1MHz -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 125°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -
Grundproduktnummer B120 B120 B120 -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 520 mV @ 1 A 500 mV @ 1 A 500 mV @ 1 A -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 20 V 20 V 20 V -
Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA) SMA SMA -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 20 V 500 µA @ 20 V 500 µA @ 20 V -
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Strom - Richt (Io) 1A 1A 1A -
Technologie Schottky Schottky Schottky -

B120-E3/61T Datenblatt PDF

Laden Sie B120-E3/61T PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für B120-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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