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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Brücke-GleichrichterB80C1500G-E4/51
B80C1500G-E4/51 Image
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B80C1500G-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
B80C1500G-E4/51
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-B80C1500G-E4/51
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1.5A WOG
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-Circular, WOG
Datenblatt
B40C1500G thru B380C1500G.pdf
B40C1500G thru B380C1500G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 111800

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Anzahl

Spezifikation

B80C1500G-E4/51 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - B80C1500G-E4/51 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - B80C1500G-E4/51

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Spitzensperr- (max) 125 V  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 1 A  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse WOG  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 4-Circular, WOG  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Diodentyp Single Phase  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 125 V  
Strom - Richt (Io) 1.5 A  
Grundproduktnummer B80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division B80C1500G-E4/51.

Produkteigenschaften B80C1500G-E4/51 VUO52-22NO1 VBO22-14NO8 NSR1030QMUTWG
Artikelnummer B80C1500G-E4/51 VUO52-22NO1 VBO22-14NO8 NSR1030QMUTWG
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division IXYS IXYS onsemi
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ)
Paket Bulk Box Box Tape & Reel (TR)
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 1 A 1.13 V @ 20 A 2.2 V @ 150 A 600 mV @ 1 A
Verpackung / Gehäuse 4-Circular, WOG V1A-PAK 4-Square, FO-B 4-UDFN Exposed Pad
Strom - Richt (Io) 1.5 A 60 A 21 A 1 A
Diodentyp Single Phase Three Phase Single Phase Single Phase
Grundproduktnummer B80 VUO52 VBO22 NSR1030
Technologie Standard Standard Standard Schottky
Spannung - Spitzensperr- (max) 125 V 2.2 kV 1.4 kV 30 V
Supplier Device-Gehäuse WOG V1A-PAK FO-B 4-UDFN (3x3)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 125 V 40 µA @ 2200 V 300 µA @ 1400 V 20 µA @ 30 V
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount QC Terminal Surface Mount

B80C1500G-E4/51 Datenblatt PDF

Laden Sie B80C1500G-E4/51 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für B80C1500G-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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HTML -Datenblatt
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PCN -Baugruppe/Herkunft
DD-010-2014-Rev-0 11/Jun/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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