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BZD27C30P-E3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
BZD27C30P-E3-08
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-BZD27C30P-E3-08
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-219AB
Datenblatt
BZD27 Series.pdf
RoHS Status
vorrätig: 195560

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Anzahl

Spezifikation

BZD27C30P-E3-08 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27C30P-E3-08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZD27C30P-E3-08

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Zener (Nom) (Vz) 30 V  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 200 mA  
Toleranz -  
Supplier Device-Gehäuse DO-219AB (SMF)  
Serie BZD27C  
Leistung - max 800 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-219AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Impedanz (Max) (Zzt) 15 Ohms  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 22 V  
Grundproduktnummer BZD27C30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C30P-E3-08.

Produkteigenschaften BZD27C30P-E3-08 BZD27C27P-E3-08 BZD27C36P-E3-08 BZD27C24P
Artikelnummer BZD27C30P-E3-08 BZD27C27P-E3-08 BZD27C36P-E3-08 BZD27C24P
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation
Impedanz (Max) (Zzt) 15 Ohms 15 Ohms 40 Ohms 15 Ohms
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA 1.2 V @ 200 mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 22 V 1 µA @ 20 V 1 µA @ 27 V 1 µA @ 18 V
Supplier Device-Gehäuse DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF) DO-219AB (SMF) Sub SMA
Toleranz - - - ±5.79%
Grundproduktnummer BZD27C30 BZD27C27 BZD27C36 BZD27
Serie BZD27C BZD27C BZD27C -
Leistung - max 800 mW 800 mW 800 mW 1 W
Verpackung / Gehäuse DO-219AB DO-219AB DO-219AB SOD-123
Spannung - Zener (Nom) (Vz) 30 V 27 V 36 V 24.2 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

BZD27C30P-E3-08 Datenblatt PDF

Laden Sie BZD27C30P-E3-08 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für BZD27C30P-E3-08 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 27/Apr/2023.pdf
Datenblätter
BZD27 Series.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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