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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelES3DHE3_A/I
ES3DHE3_A/I Image
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ES3DHE3_A/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
ES3DHE3_A/I
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-ES3DHE3_A/I
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-214AB, SMC
Datenblatt
ES3A - ES3D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 126970

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Anzahl

Spezifikation

ES3DHE3_A/I Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ES3DHE3_A/I Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ES3DHE3_A/I

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 900 mV @ 3 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse DO-214AB (SMC)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-214AB, SMC  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 200 V  
Strom - Richt (Io) 3A  
Kapazität @ Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz  
Grundproduktnummer ES3D  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3DHE3_A/I.

Produkteigenschaften ES3DHE3_A/I ES3F-E3/57T ES3G R7G ES3DB-13
Artikelnummer ES3DHE3_A/I ES3F-E3/57T ES3G R7G ES3DB-13
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Taiwan Semiconductor Corporation Diodes Incorporated
Technologie Standard Standard Standard Standard
Strom - Richt (Io) 3A 3A 3A 3A
Verpackung / Gehäuse DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC DO-214AA, SMB
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 30 ns 50 ns 35 ns 25 ns
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V 300 V 400 V 200 V
Kapazität @ Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz 30pF @ 4V, 1MHz 30pF @ 4V, 1MHz 45pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 900 mV @ 3 A 1.1 V @ 3 A 1.3 V @ 3 A 900 mV @ 3 A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Grundproduktnummer ES3D ES3F ES3G ES3D
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 200 V 10 µA @ 300 V 10 µA @ 400 V 10 µA @ 200 V
Supplier Device-Gehäuse DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC) SMB
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ES3DHE3_A/I Datenblatt PDF

Laden Sie ES3DHE3_A/I PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für ES3DHE3_A/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly site 28/Jun/2022.pdf
Datenblätter
ES3A - ES3D.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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ES3DHE3_A/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-ES3DHE3_A/I

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