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G2SBA60-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer: G2SBA60-E3/45

Hersteller: Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Allelco Artikelnummer: 32D-G2SBA60-E3/45

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL

detaillierte Beschreibung

Verpackung: 4-SIP, GBL

Datenblatt: G2SBA20, 60 & 80.pdf

RoHS Status

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vorrätig: 5020

Spezifikation

G2SBA60-E3/45 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - G2SBA60-E3/45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - G2SBA60-E3/45

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Spannung - Spitzensperr- (max)	600 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 750 mA
Technologie	Standard
Supplier Device-Gehäuse	GBL
Serie	-
Verpackung / Gehäuse	4-SIP, GBL

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Diodentyp	Single Phase
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5 µA @ 600 V
Strom - Richt (Io)	1.5 A
Grundproduktnummer	G2SBA60

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA60-E3/45.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	G2SBA60-E3/45	DFB2540	GBPC2508	VUO52-12NO1
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	onsemi	SMC Diode Solutions	IXYS
Befestigungsart	Through Hole	Through Hole	QC Terminal	Chassis Mount
Paket	Tube	Tube	Tape & Box (TB)	Box
Technologie	Standard	Standard	Standard	Standard
Grundproduktnummer	G2SBA60	DFB25	GBPC2508	VUO52
Verpackung / Gehäuse	4-SIP, GBL	4-SIP, TS-6P	4-Square, GBPC	V1-A
Spannung - Spitzensperr- (max)	600 V	400 V	800 V	1.2 kV
Supplier Device-Gehäuse	GBL	TS-6P	GBPC	V1-A
Serie	-	-	-	-
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5 µA @ 600 V	10 µA @ 400 V	5 µA @ 800 V	40 µA @ 1200 V
Strom - Richt (Io)	1.5 A	25 A	25 A	54 A
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 150°C (TJ)
Diodentyp	Single Phase	Single Phase	Single Phase	Three Phase
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 750 mA	1.1 V @ 25 A	1.1 V @ 12.5 A	1.13 V @ 20 A

G2SBA60-E3/45 Datenblatt PDF

Laden Sie G2SBA60-E3/45 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für G2SBA60-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Andere verwandte Dokumente: Packaging Information.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL: Mult dev EOL 23/Mar/2018.pdf
Datenblätter: G2SBA20, 60 & 80.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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G2SBA60-E3/45

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-G2SBA60-E3/45

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