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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-ModuleGA200SA60S
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GA200SA60S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
GA200SA60S
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-GA200SA60S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT MOD 600V 200A 630W SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
GA200SA60S.pdf
vorrätig: 3940

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Spezifikation

GA200SA60S Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GA200SA60S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GA200SA60S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.3V @ 15V, 100A  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie -  
Leistung - max 630 W  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
NTC-Thermistor No  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 16.25 nF @ 30 V  
Eingang Standard  
IGBT-Typ -  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1 mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 A  
Konfiguration Single  
Grundproduktnummer GA200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division GA200SA60S.

Produkteigenschaften GA200SA60S GA200SA60U GA200SA60UP GA200LS60U
Artikelnummer GA200SA60S GA200SA60U GA200SA60UP GA200LS60U
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division IR IR
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 A 200 A - -
Eingang Standard Standard - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.3V @ 15V, 100A 1.9V @ 15V, 100A - -
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC - -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount - -
Leistung - max 630 W 500 W - -
NTC-Thermistor No No - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B - -
Konfiguration Single Single - -
IGBT-Typ - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1 mA 1 mA - -
Grundproduktnummer GA200 GA200 - -
Serie - - - -
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 16.25 nF @ 30 V 16.5 nF @ 30 V - -

GA200SA60S Datenblatt PDF

Laden Sie GA200SA60S PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für GA200SA60S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Datenblätter
GA200SA60S.pdf

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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GA200SA60S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-GA200SA60S

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