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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Brücke-GleichrichterGBL08-E3/51
GBL08-E3/51 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

GBL08-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
GBL08-E3/51
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-GBL08-E3/51
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-SIP, GBL
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 66610

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Anzahl

Spezifikation

GBL08-E3/51 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBL08-E3/51 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBL08-E3/51

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Spitzensperr- (max) 800 V  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 2 A  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse GBL  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 4-SIP, GBL  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Diodentyp Single Phase  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 800 V  
Strom - Richt (Io) 3 A  
Grundproduktnummer GBL08  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL08-E3/51.

Produkteigenschaften GBL08-E3/51 GBL206 GBL06-E3/51 GBL02-E3/51
Artikelnummer GBL08-E3/51 GBL206 GBL06-E3/51 GBL02-E3/51
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse GBL GBL GBL GBL
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Technologie Standard Standard Standard Standard
Strom - Richt (Io) 3 A 2 A 3 A 3 A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Diodentyp Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase
Spannung - Spitzensperr- (max) 800 V 600 V 600 V 200 V
Verpackung / Gehäuse 4-SIP, GBL 4-SIP, GBL 4-SIP, GBL 4-SIP, GBL
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 800 V 5 µA @ 600 V 5 µA @ 600 V 5 µA @ 200 V
Serie - - - -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 2 A 1 V @ 1 A 1.1 V @ 4 A 1.1 V @ 4 A
Grundproduktnummer GBL08 - GBL06 GBL02

GBL08-E3/51 Datenblatt PDF

Laden Sie GBL08-E3/51 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für GBL08-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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