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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Brücke-GleichrichterGBPC610-E4/51
GBPC610-E4/51 Image
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GBPC610-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
GBPC610-E4/51
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-GBPC610-E4/51
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBPC6
Verpackung
4-Square, GBPC-6
Datenblatt
GBPC6005 thru GBPC610.pdf
GBPC6005 thru GBPC610.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 32386

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EXPRESSOPTION
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Unsere Zertifizierung

Spezifikation

GBPC610-E4/51 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBPC610-E4/51 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBPC610-E4/51

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Spitzensperr- (max) 1 kV  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 3 A  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse GBPC6  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 4-Square, GBPC-6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Diodentyp Single Phase  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 1000 V  
Strom - Richt (Io) 3 A  
Grundproduktnummer GBPC610  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) Not Applicable
Status erreichen REACH Affected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC610-E4/51.

Produkteigenschaften GBPC610-E4/51 GBPC5010W GBPC3510W-E4/51 GBPC3510W
Artikelnummer GBPC610-E4/51 GBPC5010W GBPC3510W-E4/51 GBPC3510W
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division GeneSiC Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division GeneSiC Semiconductor
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse GBPC6 GBPC-W GBPC-W GBPC-W
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 3 A 1.2 V @ 25 A 1.1 V @ 17.5 A 1.1 V @ 17.5 A
Paket Bulk Bulk Box Bulk
Verpackung / Gehäuse 4-Square, GBPC-6 4-Square, GBPC-W 4-Square, GBPC-W 4-Square, GBPC-W
Strom - Richt (Io) 3 A 50 A 35 A 35 A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 1000 V 5 µA @ 1000 V 5 µA @ 1000 V 5 µA @ 1000 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Spannung - Spitzensperr- (max) 1 kV 1 kV 1 kV 1 kV
Technologie Standard Standard Standard Standard
Grundproduktnummer GBPC610 GBPC5010 GBPC3510 GBPC3510
Diodentyp Single Phase Single Phase Single Phase Single Phase

GBPC610-E4/51 Datenblatt PDF

Laden Sie GBPC610-E4/51 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für GBPC610-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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HTML -Datenblatt
GBPC6005 thru GBPC610.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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