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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelMBR10H100-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MBR10H100-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
MBR10H100-E3/45
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-MBR10H100-E3/45
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
MBR(F,B)10Hxx.pdf
RoHS Status
vorrätig: 44820

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Anzahl

Spezifikation

MBR10H100-E3/45 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR10H100-E3/45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR10H100-E3/45

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 770 mV @ 10 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 4.5 µA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) 10A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer MBR10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H100-E3/45.

Produkteigenschaften MBR10H100-E3/45 MBR1090 MBR1080 MBR1090G
Artikelnummer MBR10H100-E3/45 MBR1090 MBR1080 MBR1090G
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
Supplier Device-Gehäuse TO-220AC TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
Grundproduktnummer MBR10 MBR109 MBR108 MBR109
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 4.5 µA @ 100 V 100 µA @ 90 V 100 µA @ 80 V 100 µA @ 90 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 770 mV @ 10 A 800 mV @ 10 A 800 mV @ 10 A 800 mV @ 10 A
Strom - Richt (Io) 10A 10A 10A 10A
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 90 V 80 V 90 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie - SWITCHMODE™ SWITCHMODE™ SWITCHMODE™
Kapazität @ Vr, F - - - -

MBR10H100-E3/45 Datenblatt PDF

Laden Sie MBR10H100-E3/45 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für MBR10H100-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
DD-19-2014 Rev 0 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
MBR(F,B)10Hxx.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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