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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMBR20H100CTG-E3/45
MBR20H100CTG-E3/45 Image
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MBR20H100CTG-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
MBR20H100CTG-E3/45
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-MBR20H100CTG-E3/45
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
MBR20H90CTG & MBR20H100CTG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 53910

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Anzahl

Spezifikation

MBR20H100CTG-E3/45 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR20H100CTG-E3/45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR20H100CTG-E3/45

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 850 mV @ 10 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3.5 µA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 10A  
Grundproduktnummer MBR20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H100CTG-E3/45.

Produkteigenschaften MBR20H100CTG-E3/45 MBR20H100CT MBR20H100CT MBR20H200CT
Artikelnummer MBR20H100CTG-E3/45 MBR20H100CT MBR20H100CT MBR20H200CT
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220 TO-220AB TO-220AB
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 850 mV @ 10 A 770 mV @ 10 A 950 mV @ 20 A 970 mV @ 20 A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer MBR20 MBR20H100 MBR20 MBR20
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Serie - SWITCHMODE™ - -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 3.5 µA @ 100 V 4.5 µA @ 100 V 5 µA @ 100 V 5 µA @ 200 V
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 100 V 100 V 200 V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 10A 10A 20A 20A
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

MBR20H100CTG-E3/45 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MBR20H100CTG-E3/45

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-MBR20H100CTG-E3/45

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