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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysMI3060C-E3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MI3060C-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
MI3060C-E3/4W
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-MI3060C-E3/4W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO262AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
M3060C, MF3060C & MI3060C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4250

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Anzahl

Spezifikation

MI3060C-E3/4W Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MI3060C-E3/4W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MI3060C-E3/4W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 720 mV @ 15 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 60 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-262AA  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 150°C  
Befestigungsart Through Hole  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 350 µA @ 60 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 15A  
Grundproduktnummer MI3060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division MI3060C-E3/4W.

Produkteigenschaften MI3060C-E3/4W MI3135-T9400S MI3135 MI3401
Artikelnummer MI3060C-E3/4W MI3135-T9400S MI3135 MI3401
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie - - - -
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 15A - - -
Paket Tube - - -
Technologie Schottky - - -
Grundproduktnummer MI3060 - - -
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - - -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA - - -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 350 µA @ 60 V - - -
Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 150°C - - -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 60 V - - -
Befestigungsart Through Hole - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-262AA - - -
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode - - -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 720 mV @ 15 A - - -

MI3060C-E3/4W Datenblatt PDF

Laden Sie MI3060C-E3/4W PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für MI3060C-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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MI3060C-E3/4W

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