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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelMUH1PB-M3/89A
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MUH1PB-M3/89A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
MUH1PB-M3/89A
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-MUH1PB-M3/89A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
MicroSMP
Datenblatt
MUH1PB thru MUH1PD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 410950

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Anzahl

Spezifikation

MUH1PB-M3/89A Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MUH1PB-M3/89A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MUH1PB-M3/89A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.05 V @ 1 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse MicroSMP (DO-219AD)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie eSMP®  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 40 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse MicroSMP  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) 1A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer MUH1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUH1PB-M3/89A.

Produkteigenschaften MUH1PB-M3/89A RB531SM-30T2R RS1004FL_R1_00001 BYV26C-TAP
Artikelnummer MUH1PB-M3/89A RB531SM-30T2R RS1004FL_R1_00001 BYV26C-TAP
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rohm Semiconductor Panjit International Inc. Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C 125°C (Max) -55°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 30 V 400 V 600 V
Serie eSMP® - - -
Kapazität @ Vr, F - - 9pF @ 4V, 1MHz -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 40 ns - 150 ns 30 ns
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Verpackung / Gehäuse MicroSMP SC-79, SOD-523 SOD-123F SOD-57, Axial
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 100 V 10 µA @ 10 V 1 µA @ 400 V 5 µA @ 600 V
Grundproduktnummer MUH1 RB531 RS1004 BYV26
Strom - Richt (Io) 1A 200mA 1A 1A
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.05 V @ 1 A 350 mV @ 10 mA 1.3 V @ 1 A 2.5 V @ 1 A
Technologie Standard Schottky Standard Avalanche
Supplier Device-Gehäuse MicroSMP (DO-219AD) EMD2 SOD-123FL SOD-57

MUH1PB-M3/89A Datenblatt PDF

Laden Sie MUH1PB-M3/89A PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für MUH1PB-M3/89A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MUH1PB-M3/89A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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