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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelRS1B-E3/61T
RS1B-E3/61T Image
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RS1B-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
RS1B-E3/61T
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-RS1B-E3/61T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-214AC, SMA
Datenblatt
RS1A thru RS1K.pdf
RoHS Status
vorrätig: 261500

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Anzahl

Spezifikation

RS1B-E3/61T Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - RS1B-E3/61T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - RS1B-E3/61T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 1 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 150 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) 1A  
Kapazität @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz  
Grundproduktnummer RS1B  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1B-E3/61T.

Produkteigenschaften RS1B-E3/61T RS1BL RVG RS1D-E3/5AT RS1B-13-F
Artikelnummer RS1B-E3/61T RS1BL RVG RS1D-E3/5AT RS1B-13-F
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division TSC (Taiwan Semiconductor) Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated
Technologie Standard - Standard Standard
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 100 V 5µA @ 100V 5 µA @ 200 V 5 µA @ 100 V
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C
Strom - Richt (Io) 1A 800mA 1A 1A
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 150 ns 150ns 150 ns 150 ns
Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA) Sub SMA DO-214AC (SMA) SMA
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 1 A 1.3V @ 800mA 1.3 V @ 1 A 1.3 V @ 1 A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 100V 200 V 100 V
Grundproduktnummer RS1B - RS1D RS1B
Kapazität @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 4V, 1MHz 15pF @ 4V, 1MHz
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery = 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA DO-219AB DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

RS1B-E3/61T Datenblatt PDF

Laden Sie RS1B-E3/61T PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für RS1B-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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Packaging Information.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Multiple Parts 21/Jun/2022.pdf
Datenblätter
RS1A thru RS1K.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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