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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelS2GHE3_A/I
S2GHE3_A/I Image
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S2GHE3_A/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
S2GHE3_A/I
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-S2GHE3_A/I
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-214AA, SMB
Datenblatt
S2A,B,D,G,J,K,M Series.pdf
RoHS Status
vorrätig: 419710

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Spezifikation

S2GHE3_A/I Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S2GHE3_A/I Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S2GHE3_A/I

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 400 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse DO-214AA (SMB)  
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2 µs  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-214AA, SMB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 400 V  
Strom - Richt (Io) 1.5A  
Kapazität @ Vr, F 16pF @ 4V, 1MHz  
Grundproduktnummer S2G  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2GHE3_A/I.

Produkteigenschaften S2GHE3_A/I S2G-E3/52T S2GA-13-F S2GHE3/5BT
Artikelnummer S2GHE3_A/I S2G-E3/52T S2GA-13-F S2GHE3/5BT
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
Strom - Richt (Io) 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device-Gehäuse DO-214AA (SMB) DO-214AA (SMB) SMA DO-214AA (SMB)
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2 µs 2 µs - 2 µs
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 400 V 1 µA @ 400 V 5 µA @ 400 V 1 µA @ 400 V
Verpackung / Gehäuse DO-214AA, SMB DO-214AA, SMB DO-214AC, SMA DO-214AA, SMB
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Kapazität @ Vr, F 16pF @ 4V, 1MHz 16pF @ 4V, 1MHz 20pF @ 4V, 1MHz 16pF @ 4V, 1MHz
Spannung - Sperr (Vr) (max) 400 V 400 V 400 V 400 V
Technologie Standard Standard Standard Standard
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer S2G S2G S2G S2G

S2GHE3_A/I Datenblatt PDF

Laden Sie S2GHE3_A/I PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für S2GHE3_A/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly site 28/Jun/2022.pdf
Datenblätter
S2A,B,D,G,J,K,M Series.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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