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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelS3JHE3/9AT
S3JHE3/9AT Image
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S3JHE3/9AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
S3JHE3/9AT
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-S3JHE3/9AT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-214AB, SMC
Datenblatt
S3A - S3M.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4510

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Anzahl

Spezifikation

S3JHE3/9AT Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3JHE3/9AT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3JHE3/9AT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 2.5 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse DO-214AB (SMC)  
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2.5 µs  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-214AB, SMC  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 600 V  
Strom - Richt (Io) 3A  
Kapazität @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz  
Grundproduktnummer S3J  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3JHE3/9AT.

Produkteigenschaften S3JHE3/9AT S3J-13-F S3JHE3_A/H S3JHE3/57T
Artikelnummer S3JHE3/9AT S3J-13-F S3JHE3_A/H S3JHE3/57T
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Diodes Incorporated Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse DO-214AB (SMC) SMC DO-214AB (SMC) DO-214AB (SMC)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 2.5 A 1.15 V @ 3 A 1.15 V @ 2.5 A 1.15 V @ 2.5 A
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 600 V 10 µA @ 600 V 10 µA @ 600 V 10 µA @ 600 V
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Grundproduktnummer S3J S3J S3J S3J
Serie Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Technologie Standard Standard Standard Standard
Kapazität @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz 40pF @ 4V, 1MHz 60pF @ 4V, 1MHz 60pF @ 4V, 1MHz
Verpackung / Gehäuse DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC DO-214AB, SMC
Strom - Richt (Io) 3A 3A 3A 3A
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2.5 µs - 2.5 µs 2.5 µs
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C

S3JHE3/9AT Datenblatt PDF

Laden Sie S3JHE3/9AT PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für S3JHE3/9AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN-DD-025-2012-Rev-0 28/Nov/2012.pdf
Datenblätter
S3A - S3M.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-S3JHE3/9AT

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