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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelS3MHE3_A/H
S3MHE3_A/H Image
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S3MHE3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
S3MHE3_A/H
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-S3MHE3_A/H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-214AB, SMC
Datenblatt
S3A - S3M.pdf
RoHS Status
vorrätig: 142480

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Anzahl

Spezifikation

S3MHE3_A/H Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3MHE3_A/H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S3MHE3_A/H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 2.5 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1000 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse DO-214AB (SMC)  
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2.5 µs  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-214AB, SMC  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 1000 V  
Strom - Richt (Io) 3A  
Kapazität @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz  
Grundproduktnummer S3M  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3MHE3_A/H.

Produkteigenschaften S3MHE3_A/H R2160 RGF1A-E3/67A S3M-E3/57T
Artikelnummer S3MHE3_A/H R2160 RGF1A-E3/67A S3M-E3/57T
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Microchip Technology Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie Standard - Standard Standard
Grundproduktnummer S3M R2160 RGF1 S3M
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 1000 V - 5 µA @ 50 V 10 µA @ 1000 V
Serie Automotive, AEC-Q101 - SUPERECTIFIER® -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 2.5 A 1.2 V @ 30 A 1.3 V @ 1 A 1.15 V @ 2.5 A
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse DO-214AB, SMC - DO-214BA DO-214AB, SMC
Supplier Device-Gehäuse DO-214AB (SMC) - DO-214BA (GF1) DO-214AB (SMC)
Strom - Richt (Io) 3A - 1A 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1000 V 600 V 50 V 1000 V
Kapazität @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz - 8.5pF @ 4V, 1MHz 60pF @ 4V, 1MHz
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2.5 µs - 150 ns 2.5 µs
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C

S3MHE3_A/H Datenblatt PDF

Laden Sie S3MHE3_A/H PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für S3MHE3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly site 28/Jun/2022.pdf
Datenblätter
S3A - S3M.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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S3MHE3_A/H

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-S3MHE3_A/H

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