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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelSS1F4HM3/H
SS1F4HM3/H Image
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SS1F4HM3/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
SS1F4HM3/H
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-SS1F4HM3/H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-219AB
Datenblatt
SS1F4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 423040

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Spezifikation

SS1F4HM3/H Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS1F4HM3/H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS1F4HM3/H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 520 mV @ 1 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 40 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse DO-219AB (SMF)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Verpackung / Gehäuse DO-219AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max)  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 150 µA @ 40 V  
Strom - Richt (Io) 1A  
Kapazität @ Vr, F 85pF @ 4V, 1MHz  
Grundproduktnummer SS1F4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1F4HM3/H.

Produkteigenschaften SS1F4HM3/H SS1H10-E3/61T SS1FH6HM3/H SS19FA
Artikelnummer SS1F4HM3/H SS1H10-E3/61T SS1FH6HM3/H SS19FA
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi
Spannung - Sperr (Vr) (max) 40 V 100 V 60 V 90 V
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Verpackung / Gehäuse DO-219AB DO-214AC, SMA DO-219AB SOD-123W
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 520 mV @ 1 A 770 mV @ 1 A 700 mV @ 1 A 800 mV @ 1 A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Kapazität @ Vr, F 85pF @ 4V, 1MHz - 90pF @ 4V, 1MHz 55pF @ 4V, 1MHz
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max) 175°C (Max) -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Strom - Richt (Io) 1A 1A 1A 1A
Serie Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Supplier Device-Gehäuse DO-219AB (SMF) DO-214AC (SMA) DO-219AB (SMF) SOD-123FA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 150 µA @ 40 V 1 µA @ 100 V 3 µA @ 60 V 50 µA @ 90 V
Grundproduktnummer SS1F4 SS1H10 SS1FH6 SS19

SS1F4HM3/H Datenblatt PDF

Laden Sie SS1F4HM3/H PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für SS1F4HM3/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021.pdf
Datenblätter
SS1F4.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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SS1F4HM3/H

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SS1F4HM3/H

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