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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelSS1H10HE3_B/I
SS1H10HE3_B/I Image
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SS1H10HE3_B/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
SS1H10HE3_B/I
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-SS1H10HE3_B/I
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-214AC, SMA
Datenblatt
SS1H9 & SS1H10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 269440

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Anzahl

Spezifikation

SS1H10HE3_B/I Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS1H10HE3_B/I Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS1H10HE3_B/I

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 860 mV @ 2 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max)  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) 1A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer SS1H10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H10HE3_B/I.

Produkteigenschaften SS1H10HE3_B/I SS1FL3HM3/H SS1H9-E3/61T SS1H10HE3_B/H
Artikelnummer SS1H10HE3_B/I SS1FL3HM3/H SS1H9-E3/61T SS1H10HE3_B/H
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 100 V 200 µA @ 30 V 1 µA @ 90 V 1 µA @ 100 V
Grundproduktnummer SS1H10 SS1FL3 SS1H9 SS1H10
Strom - Richt (Io) 1A 1A 1A 1A
Supplier Device-Gehäuse DO-214AC (SMA) DO-219AB (SMF) DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA)
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 30 V 90 V 100 V
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Betriebstemperatur - Anschluss 175°C (Max) -55°C ~ 150°C 175°C (Max) 175°C (Max)
Serie Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q101, eSMP® - Automotive, AEC-Q100
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 860 mV @ 2 A 480 mV @ 1 A 770 mV @ 1 A 860 mV @ 2 A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Kapazität @ Vr, F - 130pF @ 4V, 1MHz - -
Verpackung / Gehäuse DO-214AC, SMA DO-219AB DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA

SS1H10HE3_B/I Datenblatt PDF

Laden Sie SS1H10HE3_B/I PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für SS1H10HE3_B/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 26/Aug/2021.pdf
Datenblätter
SS1H9 & SS1H10.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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SS1H10HE3_B/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-SS1H10HE3_B/I

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