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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelUGB15JT-E3/81
UGB15JT-E3/81 Image
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UGB15JT-E3/81 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
UGB15JT-E3/81
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-UGB15JT-E3/81
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
UG12xT, UGF12xT, UGB12xT ~.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4160

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Anzahl

Spezifikation

UGB15JT-E3/81 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UGB15JT-E3/81 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UGB15JT-E3/81

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 15 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 50 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 30 µA @ 600 V  
Strom - Richt (Io) 15A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer UGB15  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB15JT-E3/81.

Produkteigenschaften UGB15JT-E3/81 STPS8H100DEE-TR JANTX1N4150UR-1 STTH8R06FP
Artikelnummer UGB15JT-E3/81 STPS8H100DEE-TR JANTX1N4150UR-1 STTH8R06FP
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division STMicroelectronics Microchip Technology STMicroelectronics
Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V 100 V 50 V 600 V
Strom - Richt (Io) 15A 8A 200mA 8A
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 50 ns - 4 ns 45 ns
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C 175°C (Max) -65°C ~ 175°C 175°C (Max)
Technologie Standard Schottky Standard Standard
Kapazität @ Vr, F - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Grundproduktnummer UGB15 STPS8 1N4150 STTH8
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 30 µA @ 600 V 4.5 µA @ 100 V 100 nA @ 50 V 30 µA @ 600 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) PowerFlat™ (3.3x3.3) DO-213AA TO-220FPAC
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 15 A 820 mV @ 8 A 1 V @ 200 mA 2.9 V @ 8 A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-PowerTDFN DO-213AA TO-220-2 Full Pack
Serie - - Military, MIL-PRF-19500/231 -

UGB15JT-E3/81 Datenblatt PDF

Laden Sie UGB15JT-E3/81 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für UGB15JT-E3/81 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 24/Aug/2018.pdf
Datenblätter
UG12xT, UGF12xT, UGB12xT ~.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-UGB15JT-E3/81

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