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V30100SG-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
V30100SG-E3/4W
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-V30100SG-E3/4W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
V(x)30100SG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 74410

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Anzahl

Spezifikation

V30100SG-E3/4W Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V30100SG-E3/4W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V30100SG-E3/4W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 30 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie TMBS®  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 350 µA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) 30A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer V30100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30100SG-E3/4W.

Produkteigenschaften V30100SG-E3/4W V30100S-E3/4W V30119 MOS V30100C-M3
Artikelnummer V30100SG-E3/4W V30100S-E3/4W V30119 MOS V30100C-M3
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 - -
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C - -
Kapazität @ Vr, F - - - -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 350 µA @ 100 V 1 mA @ 100 V - -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 30 A 910 mV @ 30 A - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 - -
Paket Tube Tube - -
Serie TMBS® TMBS® - -
Strom - Richt (Io) 30A 30A - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 100 V - -
Technologie Schottky Schottky - -
Grundproduktnummer V30100 V30100 - -

V30100SG-E3/4W Datenblatt PDF

Laden Sie V30100SG-E3/4W PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für V30100SG-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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V30100SG-E3/4W

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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