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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysV40120C-E3/4W
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V40120C-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
V40120C-E3/4W
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-V40120C-E3/4W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
Vx40120C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 26203

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Anzahl

Spezifikation

V40120C-E3/4W Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V40120C-E3/4W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V40120C-E3/4W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 20 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 120 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie TMBS®  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C  
Befestigungsart Through Hole  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500 µA @ 120 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 20A  
Grundproduktnummer V40120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40120C-E3/4W.

Produkteigenschaften V40120C-E3/4W V40120CI-M3/P V40100PW-M3/4W V40100PGW-M3/4W
Artikelnummer V40120C-E3/4W V40120CI-M3/P V40100PW-M3/4W V40100PGW-M3/4W
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Spannung - Sperr (Vr) (max) 120 V 120 V 100 V 100 V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 20A 20A 20A 20A
Serie TMBS® TMBS® TMBS® TMBS®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer V40120 V40120 V40100 V40100
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 20 A 820 mV @ 20 A 770 mV @ 20 A 850 mV @ 20 A
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220AB TO-3PW TO-3PW
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 500 µA @ 120 V 700 µA @ 120 V 1 mA @ 100 V 1 mA @ 100 V

V40120C-E3/4W Datenblatt PDF

Laden Sie V40120C-E3/4W PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für V40120C-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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PCN -Baugruppe/Herkunft
New subcontractor 06/Apr/2016.pdf
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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