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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysV50100PW-M3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V50100PW-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
V50100PW-M3/4W
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-V50100PW-M3/4W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3PW
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
V50100PW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

V50100PW-M3/4W Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V50100PW-M3/4W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V50100PW-M3/4W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 25 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PW  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie TMBS®  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C  
Befestigungsart Through Hole  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 25A  
Grundproduktnummer V50100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division V50100PW-M3/4W.

Produkteigenschaften V50100PW-M3/4W V50100P-E3/45 V50010-B140-A V50017-U323-K500
Artikelnummer V50100PW-M3/4W V50100P-E3/45 V50010-B140-A V50017-U323-K500
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division PAYTON Siemens
Supplier Device-Gehäuse TO-3PW TO-247AD (TO-3P) - -
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C - -
Grundproduktnummer V50100 V50100 - -
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 100 V - -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 100 V 1 mA @ 100 V - -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 840 mV @ 25 A 780 mV @ 25 A - -
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 25A 25A - -
Paket Tube Tube - -
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3, SC-65-3 - -
Serie TMBS® TMBS® - -
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode - -
Technologie Schottky Schottky - -

V50100PW-M3/4W Datenblatt PDF

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 08/Nov/2017.pdf
Datenblätter
V50100PW.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V50100PW-M3/4W

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-V50100PW-M3/4W

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