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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysV80170PW-M3/4W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V80170PW-M3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
V80170PW-M3/4W
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-V80170PW-M3/4W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO3PW
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
V80170PW-M3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4700

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Anzahl

Spezifikation

V80170PW-M3/4W Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V80170PW-M3/4W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V80170PW-M3/4W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 910 mV @ 40 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 170 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PW  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie TMBS®  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 600 µA @ 170 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 40A  
Grundproduktnummer V80170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division V80170PW-M3/4W.

Produkteigenschaften V80170PW-M3/4W APT2X60S20J SDT30A120CT MBRF10200CTR
Artikelnummer V80170PW-M3/4W APT2X60S20J SDT30A120CT MBRF10200CTR
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Microchip Technology Diodes Incorporated SMC Diode Solutions
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 40A 75A 15A -
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Through Hole Through Hole
Spannung - Sperr (Vr) (max) 170 V 200 V 120 V 200 V
Serie TMBS® - - -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 910 mV @ 40 A 900 mV @ 60 A 860 mV @ 15 A 980 mV @ 5 A
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 2 Independent 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device-Gehäuse TO-3PW SOT-227 (ISOTOP®) TO-220-3 ITO-220AB
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Paket Bulk Tube Tube Tube
Grundproduktnummer V80170 APT2X60 SDT30 MBRF1020
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 600 µA @ 170 V 1 mA @ 200 V 100 µA @ 120 V 1 mA @ 200 V
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky

V80170PW-M3/4W Datenblatt PDF

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 08/Nov/2017.pdf
Datenblätter
V80170PW-M3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V80170PW-M3/4W

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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