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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysVB60170G-E3/8W
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VB60170G-E3/8W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
VB60170G-E3/8W
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-VB60170G-E3/8W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
VB60170G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25697

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Anzahl

Spezifikation

VB60170G-E3/8W Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VB60170G-E3/8W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VB60170G-E3/8W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.02 V @ 30 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 170 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie TMBS®  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 175°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 450 µA @ 170 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 30A  
Grundproduktnummer VB60170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB60170G-E3/8W.

Produkteigenschaften VB60170G-E3/8W MBR600100CT BAV23A-7-F STPS4045CP
Artikelnummer VB60170G-E3/8W MBR600100CT BAV23A-7-F STPS4045CP
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division GeneSiC Semiconductor Diodes Incorporated STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Twin Tower TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-218-3
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Grundproduktnummer VB60170 MBR600100 BAV23 STPS404
Befestigungsart Surface Mount Chassis Mount Surface Mount Through Hole
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 450 µA @ 170 V 1 mA @ 20 V 100 nA @ 200 V 200 µA @ 45 V
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 30A 300A 400mA (DC) 20A
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.02 V @ 30 A 880 mV @ 300 A 1.25 V @ 200 mA 760 mV @ 20 A
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Cathode
Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Twin Tower SOT-23-3 SOT-93
Spannung - Sperr (Vr) (max) 170 V 100 V 200 V 45 V
Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C 175°C (Max)
Serie TMBS® - - -
Technologie Schottky Schottky Standard Schottky
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube

VB60170G-E3/8W Datenblatt PDF

Laden Sie VB60170G-E3/8W PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für VB60170G-E3/8W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

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PCN -Baugruppe/Herkunft
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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