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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelVS-1EFH02HM3/I
VS-1EFH02HM3/I Image
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VS-1EFH02HM3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
VS-1EFH02HM3/I
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-VS-1EFH02HM3/I
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DO-219AB
Datenblatt
VS-1EFH02HM3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 282170

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Anzahl

Spezifikation

VS-1EFH02HM3/I Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 930 mV @ 1 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V  
Technologie Standard  
Supplier Device-Gehäuse DO-219AB (SMF)  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 25 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse DO-219AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 µA @ 200 V  
Strom - Richt (Io) 1A  
Kapazität @ Vr, F -  
Grundproduktnummer 1EFH02  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1EFH02HM3/I.

Produkteigenschaften VS-1EFH02HM3/I VS-18TQ045PBF VS-20BQ030TRPBF VS-19TQ015PBF
Artikelnummer VS-1EFH02HM3/I VS-18TQ045PBF VS-20BQ030TRPBF VS-19TQ015PBF
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® - - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Kapazität @ Vr, F - - - -
Technologie Standard Schottky Schottky Schottky
Strom - Richt (Io) 1A 18A 2A 19A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 125°C
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 µA @ 200 V 2.5 mA @ 45 V 500 µA @ 30 V 1.5 mA @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse DO-219AB (SMF) TO-220AC DO-214AA (SMB) TO-220AC
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 930 mV @ 1 A 600 mV @ 18 A 470 mV @ 2 A 360 mV @ 19 A
Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V 45 V 30 V 15 V
Grundproduktnummer 1EFH02 18TQ045 20BQ030 19TQ015
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Verpackung / Gehäuse DO-219AB TO-220-2 DO-214AA, SMB TO-220-2
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 25 ns - - -

VS-1EFH02HM3/I Datenblatt PDF

Laden Sie VS-1EFH02HM3/I PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für VS-1EFH02HM3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Plating House Add 15/Jan/2021.pdf
Datenblätter
VS-1EFH02HM3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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VS-1EFH02HM3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-VS-1EFH02HM3/I

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