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VS-50RIA120 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Artikelnummer
VS-50RIA120
Hersteller
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Artikelnummer
32D-VS-50RIA120
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SCR 1.2KV 80A TO208AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-208AC, TO-65-3, Stud
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2530

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Spezifikation

VS-50RIA120 Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-50RIA120 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-50RIA120

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Spannung - EIN-Zustand (Vtm) (Max) 1.6 V  
Spannung - Aus-Zustand 1.2 kV  
Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) 2.5 V  
Supplier Device-Gehäuse TO-208AC (TO-65)  
Serie -  
SCR-Typ Standard Recovery  
Verpackung / Gehäuse TO-208AC, TO-65-3, Stud  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C  
Befestigungsart Chassis, Stud Mount  
Strom - EIN-Zustand (It (RMS)) (Max) 80 A  
Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) 50 A  
Aktuelle - Aus-Zustand (Max) 15 mA  
Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) 1430A, 1490A  
Strom - Haltestrom (Ih) (Max) 200 mA  
Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) 100 mA  
Grundproduktnummer 50RIA120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50RIA120.

Produkteigenschaften VS-50RIA120 VS-50TPS12L-M3 VS-50WQ06FN-M3 VS-500-KFF-GNN
Artikelnummer VS-50RIA120 VS-50TPS12L-M3 VS-50WQ06FN-M3 VS-500-KFF-GNN
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI
Spannung - EIN-Zustand (Vtm) (Max) 1.6 V 1.32 V - -
Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) 1430A, 1490A 530A @ 100Hz - -
Paket Bulk Tube Tube -
Befestigungsart Chassis, Stud Mount Through Hole Surface Mount -
Strom - Haltestrom (Ih) (Max) 200 mA 300 mA - -
Strom - EIN-Zustand (It (RMS)) (Max) 80 A 79 A - -
Supplier Device-Gehäuse TO-208AC (TO-65) TO-247L D-PAK (TO-252AA) -
Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) 100 mA 100 mA - -
Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) 50 A 50 A - -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-208AC, TO-65-3, Stud TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Aktuelle - Aus-Zustand (Max) 15 mA 50 µA - -
Grundproduktnummer 50RIA120 50TPS12 50WQ06 -
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C -40°C ~ 150°C - -
Spannung - Aus-Zustand 1.2 kV 1.2 kV - -
SCR-Typ Standard Recovery Standard Recovery - -
Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) 2.5 V 1.5 V - -

VS-50RIA120 Datenblatt PDF

Laden Sie VS-50RIA120 PDF -Datenblätter und Vishay General Semiconductor - Diodes Division -Dokumentation für VS-50RIA120 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division herunter.

HTML -Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
2.73KHz.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-VS-50RIA120

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