Spezifikation
VS-80RIA120PBF Tech -Spezifikationen
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-80RIA120PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-80RIA120PBF
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
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| Spannung - EIN-Zustand (Vtm) (Max) |
1.6 V |
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| Spannung - Aus-Zustand |
1.2 kV |
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| Spannung - Gate-Trigger (VGT) (Max) |
2.5 V |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-209AC (TO-94) |
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| Serie |
- |
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| SCR-Typ |
Standard Recovery |
|
| Verpackung / Gehäuse |
TO-209AC, TO-94-4, Stud |
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| Paket |
Bulk |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 125°C |
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| Befestigungsart |
Chassis, Stud Mount |
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| Strom - EIN-Zustand (It (RMS)) (Max) |
125 A |
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| Strom - EIN-Zustand (It (AV)) (max) |
80 A |
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| Aktuelle - Aus-Zustand (Max) |
15 mA |
|
| Strom -. Nicht Rep Surge 50, 60 Hz (ITSM) |
1900A, 1990A |
|
| Strom - Haltestrom (Ih) (Max) |
200 mA |
|
| Strom - Gate Trigger (IGT) (Max) |
120 mA |
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| Grundproduktnummer |
80RIA120 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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VS-80CPQ150-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE STANDARD 150V 40A TO247AC
VS-751-LFF-HNN-P2-P4VI