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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangCNY17G-1
CNY17G-1 Image
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CNY17G-1 - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
CNY17G-1
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-CNY17G-1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
CNY17, CNY17G Series.pdf
RoHS Status
vorrätig: 167570

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Anzahl

Spezifikation

CNY17G-1 Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - CNY17G-1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - CNY17G-1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V  
VCE Sätttigung (max) 400mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 2.3µs  
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 2µs, 2µs  
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor with Base  
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 40% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 80% @ 10mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer CNY17  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division CNY17G-1.

Produkteigenschaften CNY17G-1 CNY17F4W CNY17F4M CNY17F4W
Artikelnummer CNY17G-1 CNY17F4W CNY17F4M CNY17F4W
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
VCE Sätttigung (max) 400mV 300mV 400mV 300mV
Stromübertragungsverhältnis (max) 80% @ 10mA 320% @ 10mA 320% @ 10mA 320% @ 10mA
Spannung - Ausgabe (max) 70V 70V 70V 70V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 2µs, 2µs 1µs, 2µs 4µs, 3.5µs (Max) 1µs, 2µs
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V 1.35V 1.35V 1.35V
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA
Spannung - Isolation 5000Vrms 5300Vrms 4170Vrms 5300Vrms
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP 6-DIP 6-DIP 6-DIP
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300', 7.62mm) 6-DIP (0.400", 10.16mm) 6-DIP (0.300", 7.62mm) 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C
Serie - - - -
Eingabetyp DC DC DC DC
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 2.3µs 2µs, 3µs 2µs, 3µs 2µs, 3µs
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 100 mA 60 mA 100 mA
Grundproduktnummer CNY17 - CNY17F CNY17
Paket Tube Tube Bulk Tube
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 40% @ 10mA 160% @ 10mA 160% @ 10mA 160% @ 10mA
Ausgabetyp Transistor with Base Transistor Transistor Transistor
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

CNY17G-1 Datenblatt PDF

Laden Sie CNY17G-1 PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für CNY17G-1 - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

HTML -Datenblatt
CNY17, CNY17G Series.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Semiconductor Opto Division
32D-CNY17G-1

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