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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangCNY64A
CNY64A Image
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CNY64A - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
CNY64A
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-CNY64A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLATOR 8.2KV TRANS 4-DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.200', 5.08mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31560

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Spezifikation

CNY64A Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - CNY64A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - CNY64A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 32V  
Spannung - Isolation 8200Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.32V  
VCE Sätttigung (max) 300mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 5µs, 3µs  
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 2.4µs, 2.7µs  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.200', 5.08mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -55°C ~ 85°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 125% @ 10mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 75 mA  
Grundproduktnummer CNY64  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division CNY64A.

Produkteigenschaften CNY64A CNY65AYST CNY65B CNY64B
Artikelnummer CNY64A CNY65AYST CNY65B CNY64B
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Eingabetyp DC DC DC DC
Spannung - Isolation 8200Vrms 13900VDC 13900VDC 8200Vrms
Serie - - - -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 2.4µs, 2.7µs 2.4µs, 2.7µs 2.4µs, 2.7µs 2.4µs, 2.7µs
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.200', 5.08mm) 4-SMD, Gull Wing 4-EDIP (0.300', 7.62mm) 4-DIP (0.200", 5.08mm)
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 5µs, 3µs 5µs, 3µs 5µs, 3µs 5µs, 3µs
Spannung - Ausgabe (max) 32V 32V 32V 32V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA 50% @ 5mA 100% @ 10mA 100% @ 10mA
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA
Ausgabetyp Transistor Transistor Transistor Transistor
VCE Sätttigung (max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Betriebstemperatur -55°C ~ 85°C -55°C ~ 85°C -55°C ~ 85°C -55°C ~ 85°C
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP 4-SMD 4-DIP 4-DIP
Grundproduktnummer CNY64 CNY65 CNY65 CNY64
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.32V 1.32V 1.25V 1.25V
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 75 mA 75 mA 75 mA 75 mA
Stromübertragungsverhältnis (max) 125% @ 10mA 150% @ 5mA 200% @ 10mA 200% @ 10mA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole

CNY64A Datenblatt PDF

Laden Sie CNY64A PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für CNY64A - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
2.73KHz.pdf
HTML -Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Semiconductor Opto Division
32D-CNY64A

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