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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangCQY80N
CQY80N Image
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CQY80N - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
CQY80N
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-CQY80N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 266310

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Anzahl

Spezifikation

CQY80N Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - CQY80N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - CQY80N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 32V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V  
VCE Sätttigung (max) 300mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 11µs, 7µs  
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 7µs, 6.7µs  
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor with Base  
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) -  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer CQY80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division CQY80N.

Produkteigenschaften CQY80N H11AG2 SFH601-4X006 H11A1SR2M
Artikelnummer CQY80N H11AG2 SFH601-4X006 H11A1SR2M
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Fairchild Semiconductor Vishay Semiconductor Opto Division onsemi
Grundproduktnummer CQY80 - SFH601 H11A1
Eingabetyp DC DC DC DC
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP 6-DIP 6-DIP 6-SMD
Stromübertragungsverhältnis (max) - - 320% @ 10mA -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 7µs, 6.7µs - 2µs, 2µs -
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 11µs, 7µs 5µs, 5µs 3µs, 2.3µs 2µs, 2µs
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300', 7.62mm) 6-DIP (0.300", 7.62mm) 6-DIP (0.400', 10.16mm) 6-SMD, Gull Wing
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA -
Spannung - Isolation 5000Vrms 5300Vrms 5300Vrms 4170Vrms
Serie - - - -
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
VCE Sätttigung (max) 300mV 400mV 400mV 400mV
Ausgabetyp Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Spannung - Ausgabe (max) 32V 30V 100V 30V
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 50 mA 60 mA 60 mA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V 1.5V (Max) 1.25V 1.18V
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 50% @ 10mA 50% @ 1mA 160% @ 10mA 50% @ 10mA

CQY80N Datenblatt PDF

Laden Sie CQY80N PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für CQY80N - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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CQY80N

Vishay Semiconductor Opto Division
32D-CQY80N

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