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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangK817P2
K817P2 Image
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K817P2 - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
K817P2
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-K817P2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
K817P2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4740

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Anzahl

Spezifikation

K817P2 Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - K817P2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - K817P2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V  
VCE Sätttigung (max) 300mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs  
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 125% @ 10mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer K817  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division K817P2.

Produkteigenschaften K817P2 LTV-355T MOC223R2M MOCD211R2M
Artikelnummer K817P2 LTV-355T MOC223R2M MOCD211R2M
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Lite-On Inc. onsemi onsemi
Spannung - Ausgabe (max) 70V 35V 30V 30V
Grundproduktnummer K817 LTV-355 MOC223 MOCD211
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs 60µs, 53µs 8µs, 110µs 3.2µs, 4.7µs
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 50 mA 60 mA 60 mA
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 80mA 150mA 150mA
Eingabetyp DC DC DC DC
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs - 10µs, 125µs 7.5µs, 5.7µs
Anzahl der Kanäle 1 1 1 2
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -55°C ~ 110°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP 4-SOP 8-SOIC 8-SOIC
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300', 7.62mm) 4-SMD, Gull Wing 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VCE Sätttigung (max) 300mV 1V 1V 400mV
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 63% @ 10mA 600% @ 1mA 500% @ 1mA 20% @ 10mA
Serie - LTV-355T - -
Ausgabetyp Transistor Darlington Darlington with Base Transistor
Stromübertragungsverhältnis (max) 125% @ 10mA 7500% @ 1mA - -
Spannung - Isolation 5000Vrms 3750Vrms 2500Vrms 2500Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V 1.2V 1.08V 1.25V

K817P2 Datenblatt PDF

Laden Sie K817P2 PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für K817P2 - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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K817P2

Vishay Semiconductor Opto Division
32D-K817P2

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