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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangTCDT1120G
Vishay Semiconductor Opto Division
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TCDT1120G - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
TCDT1120G
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-TCDT1120G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLATOR 5KV TRANS 6DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
TCDT1120(G).pdf
TCDT1120(G).pdf
RoHS Status
vorrätig: 169850

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Spezifikation

TCDT1120G Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - TCDT1120G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - TCDT1120G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V  
VCE Sätttigung (max) 300mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 5.5µs, 4µs  
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 3.7µs  
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 40% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) -  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer TCDT1120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division TCDT1120G.

Produkteigenschaften TCDT1120G TCDT1103 TCDT1122G TCDT1124
Artikelnummer TCDT1120G TCDT1103 TCDT1122G TCDT1124
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C -55°C ~ 110°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C
Spannung - Ausgabe (max) 70V 32V 70V 70V
Verpackung / Gehäuse 6-DIP (0.300", 7.62mm) 6-DIP (0.300", 7.62mm) 6-DIP (0.400", 10.16mm) 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 5.5µs, 4µs 11µs, 7µs - 4µs, 4.7µs
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Stromübertragungsverhältnis (max) - 200% @ 10mA 125% @ 10mA 320% @ 10mA
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 3.7µs 7µs, 6.7µs - 4µs, 4.7µs
Grundproduktnummer TCDT1120 TCDT1103 TCDT1122 TCDT1124
Serie - - - -
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA
VCE Sätttigung (max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 40% @ 10mA 100% @ 10mA 63% @ 10mA 160% @ 10mA
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Ausgabetyp Transistor Transistor Transistor Transistor
Eingabetyp DC DC DC DC
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V 1.25V 1.25V 1.25V
Spannung - Isolation 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Supplier Device-Gehäuse 6-DIP 6-DIP 6-DIP 6-DIP

TCDT1120G Datenblatt PDF

Laden Sie TCDT1120G PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für TCDT1120G - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

Datenblätter
TCDT1120(G).pdf
HTML -Datenblatt
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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