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Zuhause Produkte Sensoren, Wandler Optische Sensoren - Photointerrupter - Schlitztyp - Transistorausgang~~TCST1103~~

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TCST1103 - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer: TCST1103

Hersteller: Vishay Semiconductor - Opto Division

Allelco Artikelnummer: 32D-TCST1103

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL

detaillierte Beschreibung

Verpackung: Slotted Module, 4-Lead Dual Row

Datenblatt: TCST1103/1202/1300.pdf
TCST1103/1202/1300.pdf

RoHS Status

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vorrätig: 74550

Spezifikation

TCST1103 Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - TCST1103 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - TCST1103

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Vishay Semiconductor - Opto Division
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	70 V
Art	Unamplified
Serie	-
Abtastmethode	Through-Beam
Abtastabstand	0.122" (3.1mm)
Reaktionszeit	10µs, 8µs
Verpackung / Gehäuse	Slotted Module, 4-Lead Dual Row

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Tube
Ausgangskonfiguration	Phototransistor
Betriebstemperatur	-55°C ~ 85°C
Befestigungsart	Through Hole
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)	60 mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	4 mA
Grundproduktnummer	TCST1103

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division TCST1103.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	TCST1103	TCST2103	TCST1230	TCST2202
Hersteller	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
Betriebstemperatur	-55°C ~ 85°C	-55°C ~ 85°C	-25°C ~ 85°C	-55°C ~ 85°C
Strom - Kollektor (Ic) (max)	4 mA	4 mA	100 mA	200 mA
Abtastmethode	Through-Beam	Through-Beam	Through-Beam	Through-Beam
Verpackung / Gehäuse	Slotted Module, 4-Lead Dual Row	Slotted Module, 4-Lead Dual Row	PCB Mount	PCB Mount
Reaktionszeit	10µs, 8µs	10µs, 8µs	15µs, 10µs	10µs, 8µs
Paket	Tube	Tube	Tube	Tube
Grundproduktnummer	TCST1103	TCST2103	TCST1230	TCST2202
Abtastabstand	0.122" (3.1mm)	3.1mm	0.110" (2.8mm)	0.122" (3.1mm)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	70 V	70 V	70 V	70 V
Art	Unamplified	Unamplified	Unamplified	Unamplified
Ausgangskonfiguration	Phototransistor	Phototransistor	Phototransistor	Phototransistor
Befestigungsart	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Strom - DC Vorwärts (If) (Max)	60 mA	60 mA	60 mA	60 mA
Serie	-	-	-	-

TCST1103 Datenblatt PDF

Laden Sie TCST1103 PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für TCST1103 - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

Datenblätter: TCST1103/1202/1300.pdf
HTML -Datenblatt: TCST1103/1202/1300.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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