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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-jfets2N4393-E3
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2N4393-E3 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
2N4393-E3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-2N4393-E3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
JFET N-CH 40V TO206AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Datenblatt
2N/PN/SST4391-4393 Series.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3960

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Anzahl

Spezifikation

2N4393-E3 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - 2N4393-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - 2N4393-E3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id 500 mV @ 1 nA  
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) 40 V  
Supplier Device-Gehäuse TO-206AA (TO-18)  
Serie -  
Resistance - RDS (on) 100 Ohms  
Leistung - max 1.8 W  
Verpackung / Gehäuse TO-206AA, TO-18-3 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V  
Typ FET N-Channel  
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) 5 mA @ 20 V  
Grundproduktnummer 2N4393  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix 2N4393-E3.

Produkteigenschaften 2N4393-E3 2N4393 2N4392 2N4393
Artikelnummer 2N4393-E3 2N4393 2N4392 2N4393
Hersteller Vishay Siliconix Microchip Technology Solid State Inc. Solid State Inc.
Grundproduktnummer 2N4393 2N4393 - -
Verpackung / Gehäuse TO-206AA, TO-18-3 Metal Can - TO-206AA, TO-18-3 Metal Can TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Supplier Device-Gehäuse TO-206AA (TO-18) TO-18 TO-18 TO-18
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id 500 mV @ 1 nA 500 mV @ 1 nA 2 V @ 1 nA 500 mV @ 1 nA
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0) 5 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V 25 mA @ 20 V 5 mA @ 20 V
Resistance - RDS (on) 100 Ohms 100 Ohms 60 Ohms -
Serie - - - -
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) 40 V 40 V 40 V 40 V
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 125°C (TJ) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V 14pF @ 20V 14pF @ 20V 14pF @ 20V
Leistung - max 1.8 W 1.8 W - 300 mW
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

2N4393-E3 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N4393-E3 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für 2N4393-E3 - Vishay Siliconix herunter.

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
OBS 17/Mar/2008.pdf Mult Device OBS Update 15/May/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014.pdf
Datenblätter
2N/PN/SST4391-4393 Series.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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