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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF624
Vishay Siliconix
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IRF624 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF624
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF624
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF624.pdf
vorrätig: 4620

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Spezifikation

IRF624 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF624 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF624

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF624  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF624.

Produkteigenschaften IRF624 IRF623 IRF624SPBF IRF630
Artikelnummer IRF624 IRF623 IRF624SPBF IRF630
Hersteller Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix Harris Corporation
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Tc) 4A (Tc) 4.4A (Tc) 9A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 40W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) -
Grundproduktnummer IRF624 - IRF624 -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 150 V 250 V 200 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220-3 D²PAK (TO-263) TO-220AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.6A, 10V 1.2Ohm @ 2.5A, 10V 1.1Ohm @ 2.6A, 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V

IRF624 Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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