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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF734
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF734 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF734
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF734
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF734, SiHF734.pdf
vorrätig: 5430

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Anzahl

Spezifikation

IRF734 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF734 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF734

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF734  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF734.

Produkteigenschaften IRF734 IRF7336D1TR IRF7341Q IRF7341ITRPBF.
Artikelnummer IRF734 IRF7336D1TR IRF7341Q IRF7341ITRPBF.
Hersteller Vishay Siliconix IR IR IR
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.9A, 10V - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB - - -
Paket Tube - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Grundproduktnummer IRF734 - - -
Typ FET N-Channel - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V - - -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 - - -
Verlustleistung (max) 74W (Tc) - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 450 V - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Tc) - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Befestigungsart Through Hole - - -
Serie - - - -

IRF734 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF734 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF734 - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
IRF734, SiHF734.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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