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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF830S
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF830S - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF830S
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF830S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF830S.pdf
vorrätig: 5270

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Spezifikation

IRF830S Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF830S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF830S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF830  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF830S.

Produkteigenschaften IRF830S IRF830PBF IRF830SPBF IRF830L
Artikelnummer IRF830S IRF830PBF IRF830SPBF IRF830L
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IRF830 IRF830 IRF830 IRF830
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) TO-220AB D²PAK (TO-263) I2PAK
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IRF830S Datenblatt PDF

Laden Sie IRF830S PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF830S - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRF830S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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