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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9540
Vishay Siliconix
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IRF9540 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF9540
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9540
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF9540, SiHF9540.pdf
vorrätig: 4020

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Spezifikation

IRF9540 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF9540 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF9540

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF9540  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF9540.

Produkteigenschaften IRF9540 IRF9540NSPBF IRF9540NLPBF IRF9540NPBF
Artikelnummer IRF9540 IRF9540NSPBF IRF9540NLPBF IRF9540NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 11A, 10V 117mOhm @ 14A, 10V 117mOhm @ 14A, 10V 117mOhm @ 11A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) 23A (Tc) 23A (Tc) 23A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) 140W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Grundproduktnummer IRF9540 - IRF9540 IRF9540
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-262 TO-220AB
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRF9540 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9540 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF9540 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
IRF9540, SiHF9540.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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