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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9Z34STRLPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF9Z34STRLPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRF9Z34STRLPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9Z34STRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF9Z34S, SiHF9Z34S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24897

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Spezifikation

IRF9Z34STRLPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRF9Z34STRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRF9Z34STRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF9Z34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRF9Z34STRLPBF.

Produkteigenschaften IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34S IRF9Z34PBF IRFB11N50APBF
Artikelnummer IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34S IRF9Z34PBF IRFB11N50APBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRF9Z34 IRF9 IRF9Z34 -
Serie - - - HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 11A, 10V 140mOhm @ 11A, 10V 140mOhm @ 11A, 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 18A (Tc) 18A (Tc) 11A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1423 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 500 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 88W (Tc) 170W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube

IRF9Z34STRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9Z34STRLPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRF9Z34STRLPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRF9Z34S, SiHF9Z34S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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