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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFB16N60LPBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFB16N60LPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFB16N60LPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFB16N60LPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFB16N60L,SiHFB16N60L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4340

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Spezifikation

IRFB16N60LPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFB16N60LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFB16N60LPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 310W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFB16  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFB16N60LPBF.

Produkteigenschaften IRFB16N60LPBF IRFB17N60K IRFB17N50L IRFB17N20D
Artikelnummer IRFB16N60LPBF IRFB17N60K IRFB17N50L IRFB17N20D
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 17A (Tc) 16A (Tc) 16A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 99 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 310W (Tc) 340W (Tc) 220W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Grundproduktnummer IRFB16 IRFB17 IRFB17 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 500 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 9A, 10V 420mOhm @ 10A, 10V 320mOhm @ 9.9A, 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie - - - HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V 2760 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V

IRFB16N60LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFB16N60LPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFB16N60LPBF - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
IRFB16N60L,SiHFB16N60L.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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