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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFB9N65A
Vishay Siliconix
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IRFB9N65A - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFB9N65A
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFB9N65A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRFB9N65A, SiHFB9N65A.pdf
vorrätig: 5310

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Spezifikation

IRFB9N65A Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFB9N65A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFB9N65A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930mOhm @ 5.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 167W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1417 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFB9N65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFB9N65A.

Produkteigenschaften IRFB9N65A IRFB7746PBF IRFB812PBF IRFBA1405PPBF
Artikelnummer IRFB9N65A IRFB7746PBF IRFB812PBF IRFBA1405PPBF
Hersteller Vishay Siliconix International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.7V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRFB9N65 - IRFB812 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB TO-220AB SUPER-220™ (TO-273AA)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930mOhm @ 5.1A, 10V 10.6mOhm @ 35A, 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 5mOhm @ 101A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1417 pF @ 25 V 3049 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V 5480 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 75 V 500 V 55 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A (Tc) 59A (Tc) 3.6A (Tc) 174A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Serie - StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-273AA
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Verlustleistung (max) 167W (Tc) 99W (Tc) 78W (Tc) 330W (Tc)

IRFB9N65A Datenblatt PDF

Laden Sie IRFB9N65A PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFB9N65A - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
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Datenblätter
IRFB9N65A, SiHFB9N65A.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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