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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFBC30ALPBF
Vishay Siliconix
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IRFBC30ALPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFBC30ALPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFBC30ALPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFBC30ALPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 43510

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Anzahl

Spezifikation

IRFBC30ALPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFBC30ALPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFBC30ALPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFBC30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFBC30ALPBF.

Produkteigenschaften IRFBC30ALPBF IRFBC30ASPBF IRFBC20LPBF IRFBC20SPBF
Artikelnummer IRFBC30ALPBF IRFBC30ASPBF IRFBC20LPBF IRFBC20SPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Grundproduktnummer IRFBC30 IRFBC30 IRFBC20 IRFBC20
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse I2PAK D²PAK (TO-263) TO-262-3 D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Tc) 3.6A (Tc) 2.2A (Tc) 2.2A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFBC30ALPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFBC30ALPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFBC30ALPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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