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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFD214PBF
IRFD214PBF Image
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IRFD214PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFD214PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFD214PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
IRFD214, SiHFD214.pdf
RoHS Status
vorrätig: 79630

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Spezifikation

IRFD214PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFD214PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFD214PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 270mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450mA (Ta)  
Grundproduktnummer IRFD214  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFD214PBF.

Produkteigenschaften IRFD214PBF IRFD320 IRFD220 IRFD310PBF
Artikelnummer IRFD214PBF IRFD320 IRFD220 IRFD310PBF
Hersteller Vishay Siliconix Harris Corporation Harris Corporation Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 4-HVMDIP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 450mA (Ta) 490mA (Ta) 800mA (Ta) 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 270mA, 10V 1.8Ohm @ 210mA, 10V 800mOhm @ 480mA, 10V 3.6Ohm @ 210mA, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 400 V 200 V 400 V
Grundproduktnummer IRFD214 - IRFD220 IRFD310
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Bulk Bulk Bulk
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFD214PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFD214PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFD214PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev 01/Feb/2023.pdf
Datenblätter
IRFD214, SiHFD214.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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