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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFD420
IRFD420 Image
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IRFD420 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFD420
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFD420
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
IRFD420.pdf
vorrätig: 5220

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Spezifikation

IRFD420 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFD420 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFD420

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 220mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 370mA (Ta)  
Grundproduktnummer IRFD420  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFD420.

Produkteigenschaften IRFD420 IRFD9020 IRFD9024PBF IRFD9014PBF
Artikelnummer IRFD420 IRFD9020 IRFD9024PBF IRFD9014PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 370mA (Ta) 1.6A (Ta) 1.6A (Ta) 1.1A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 60 V 60 V 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 220mA, 10V 280mOhm @ 960mA, 10V 280mOhm @ 960mA, 10V 500mOhm @ 660mA, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 1µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Grundproduktnummer IRFD420 IRFD9020 IRFD9024 IRFD9014
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)

IRFD420 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFD420 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFD420 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFD420.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFD420

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