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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFD9113
IRFD9113 Image
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IRFD9113 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFD9113
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFD9113
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
IRFD9113.pdf
vorrätig: 4220

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Anzahl

Spezifikation

IRFD9113 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFD9113 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFD9113

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 300mA, 10V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 15 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 600mA (Ta)  
Grundproduktnummer IRFD9113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFD9113.

Produkteigenschaften IRFD9113 IRFD9123 IRFD9120 IRFD9014
Artikelnummer IRFD9113 IRFD9123 IRFD9120 IRFD9014
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
Betriebstemperatur - - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 600mA (Ta) 1A (Ta) 1A (Ta) 1.1A (Ta)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Grundproduktnummer IRFD9113 IRFD9123 IRFD9120 IRFD9014
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 15 V 18 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) - - 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 300mA, 10V 600mOhm @ 600mA, 10V 600mOhm @ 600mA, 10V 500mOhm @ 660mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 100 V 60 V

IRFD9113 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFD9113 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFD9113 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFD9113

Vishay Siliconix
32D-IRFD9113

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